Huawei arbeitet offenbar daran, die eigene Halbleiterbasis weiter auszubauen. Nach Angaben mehrerer Halbleiteranalysten soll der chinesische Konzern gemeinsam mit dem Speicherhersteller SwaySure und staatlicher Unterstützung eine eigene DRAM-Produktion in Shenzhen vorantreiben. Bestätigt ist das bislang nicht offiziell. Die Berichte passen allerdings zu Huaweis Strategie, wichtige Komponenten trotz US-Sanktionen stärker über ein eigenes oder eng verbundenes chinesisches Ökosystem abzusichern.
12-Zoll-Fertigung mit Fokus auf DRAM
Im Mittelpunkt der Berichte steht eine 12-Zoll-Waferfabrik von SwaySure. Die Produktion soll auf einem 28-nm-Prozess basieren und vor allem DRAM adressieren. Als mögliches Ziel kursiert eine Kapazität von bis zu 140.000 Wafern pro Monat. SwaySure wurde 2022 in Shenzhen registriert und gilt als Unternehmen mit staatlicher Rückendeckung. Auffällig ist zudem, dass sowohl Huawei als auch SwaySure auf der Entity List des US-Handelsministeriums stehen. Unklar bleibt aber, wie direkt Huawei an der Fertigung beteiligt ist. Der Konzern hat frühere Berichte über ein breiteres Netzwerk staatlich unterstützter Chipfabriken zurückgewiesen. Viele Details stammen derzeit aus Analystenmeldungen und lassen sich unabhängig noch nicht vollständig überprüfen.
Für Huawei geht es vor allem um KI-Speicher
Der wichtigste Punkt ist dabei nicht klassischer Arbeitsspeicher für PCs oder Smartphones. Für Huawei dürfte es vor allem um Speicher für eigene KI-Beschleuniger gehen. Huaweis Ascend-Chips benötigen schnellen Speicher mit hoher Bandbreite. Genau hier treffen die US-Exportbeschränkungen chinesische Anbieter besonders hart. Hochleistungsfähiger HBM-Speicher von Samsung oder SK Hynix ist für viele chinesische Unternehmen nur eingeschränkt oder gar nicht mehr verfügbar. Eine eigene DRAM- und perspektivisch HBM-Fertigung würde Huawei unabhängiger machen. Der Konzern könnte Speicher dann gezielt für seine eigenen KI-Chips verwenden, statt auf Lieferungen aus Südkorea oder den USA angewiesen zu sein.
HBM bleibt technisch deutlich schwieriger
Eine laufende DRAM-Fertigung bedeutet allerdings nicht automatisch, dass Huawei kurzfristig wettbewerbsfähigen HBM in großen Mengen produzieren kann. High Bandwidth Memory stellt deutlich höhere Anforderungen. Neben der eigentlichen Speicherfertigung geht es dabei um Stapelung, Verbindungstechnik, Packaging und Ausbeute. Genau diese Schritte entscheiden am Ende darüber, ob ein Produkt wirtschaftlich in großen Stückzahlen nutzbar ist. Huawei hatte bereits eigenen HBM unter der Bezeichnung HiBL 1.0 vorgestellt. Dieser soll für Ascend-Beschleuniger vorgesehen sein. Von einer breiten Massenfertigung auf dem Niveau etablierter Anbieter wäre das Unternehmen aber weiterhin ein gutes Stück entfernt.
China baut DRAM-Kapazitäten massiv aus
Huawei wäre nicht der einzige chinesische Akteur in diesem Bereich. CXMT gilt bereits als größter DRAM-Hersteller Chinas und baut seine Kapazitäten weiter aus. Analysten erwarten, dass CXMT in den kommenden Jahren einen spürbaren Anteil am weltweiten DRAM-Angebot erreichen könnte. Gleichzeitig setzen erste Speicheranbieter bereits stärker auf Chips aus chinesischer Produktion, um der angespannten DDR5-Preisentwicklung auszuweichen. Der Hintergrund ist klar: Die Nachfrage nach Speicher steigt durch KI-Rechenzentren massiv. Gleichzeitig fließt ein großer Teil der Produktionskapazität in Server, Beschleuniger und HBM. Für klassische PC-Komponenten bleibt dadurch weniger Spielraum, was die Preise zusätzlich unter Druck setzt.
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